{"id":499264,"date":"2024-01-08T08:35:48","date_gmt":"2024-01-08T12:35:48","guid":{"rendered":"https:\/\/diariodominicano.com\/?p=499264"},"modified":"2024-01-08T08:35:48","modified_gmt":"2024-01-08T12:35:48","slug":"cientificos-chinos-y-estadounidenses-desarrollan-revolucionario-semiconductor-de-grafeno","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/diariodominicano.com\/?p=499264","title":{"rendered":"Cient\u00edficos chinos y estadounidenses desarrollan revolucionario semiconductor de grafeno"},"content":{"rendered":"\n<p>diariodominicano.com<a href=\"http:\/\/home.xinhua-news.com\/gdsdetailxhs\/share\/15378970-?pageflag=iframe\" target=\"_blank\" rel=\"noreferrer noopener\"><\/a><\/p>\n\n\n\n<pre id=\"text-news-description\" class=\"wp-block-preformatted\">   TIANJIN, 8 ene (Xinhua) -- Un equipo colaborativo de cient\u00edficos chinos y estadounidenses ha creado un semiconductor viable con un interruptor de encendido y apagado hecho de grafeno, un material de carbono muy superior al silicio en t\u00e9rminos de su potencial electr\u00f3nico.\n   El grafeno, un material bidimensional formado por una sola capa de \u00e1tomos de carbono, se considera actualmente el material electr\u00f3nico m\u00e1s prometedor en este campo.\n   Sin embargo, la estructura de banda prohibida cero del grafeno, que no produce diferencia de energ\u00eda cuando los electrones en los semiconductores saltan entre zonas de baja y alta energ\u00eda, imped\u00eda anteriormente que se utilizara para representar unos y ceros en el sistema inform\u00e1tico electr\u00f3nico.\n   Los investigadores de la Universidad de Tianjin y el Instituto de Tecnolog\u00eda de Georgia lograron abrir la banda prohibida produciendo grafeno sobre sustratos monocristalinos de carburo de silicio (SiC, siglas en ingl\u00e9s) con una banda prohibida de 0,6 eV.\n   Adem\u00e1s, la movilidad a temperatura ambiente del grafeno desarrollado por los dos equipos de investigaci\u00f3n es diez veces mayor que la del silicio, seg\u00fan un estudio publicado recientemente en la revista Nature.\n   Por lo tanto, es qu\u00edmica, mec\u00e1nica y t\u00e9rmicamente robusto y puede sintetizarse con t\u00e9cnicas convencionales de fabricaci\u00f3n de semiconductores, afirmaron los investigadores.\n   La Ley de Moore, que establece que la potencia inform\u00e1tica se duplica cada dos a\u00f1os, se ha visto cuestionada por un ritmo cada vez m\u00e1s lento en los \u00faltimos tiempos. Este ritmo m\u00e1s lento se debe a las extremas dificultades experimentadas al intentar reducir el tama\u00f1o de los chips basados en silicio a menos de dos nan\u00f3metros.\n   El semiconductor bidimensional de grafeno podr\u00eda abrir un nuevo camino para dispositivos electr\u00f3nicos de alto rendimiento m\u00e1s all\u00e1 de la tecnolog\u00eda tradicional basada en silicio, anunciando un cambio fundamental en la electr\u00f3nica, afirm\u00f3 Ma Lei, autor correspondiente del art\u00edculo de la Universidad de Tianjin.<\/pre>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>diariodominicano.com TIANJIN, 8 ene (Xinhua) &#8212; Un equipo colaborativo de cient\u00edficos chinos y estadounidenses ha creado un semiconductor viable con un interruptor de encendido y apagado hecho de grafeno, un material de carbono muy superior al silicio en t\u00e9rminos de su potencial electr\u00f3nico. 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